메모리 반도체 업계가 사상 초유의 실적 한파를 겪고 있는 가운데, 이 부문 기술 경쟁이 더욱 뜨겁게 달아오르고 있다. 

26일 업계에 따르면 SK하이닉스는 현존 최고 속도인 모바일용 D램 'LPDDR5T'를 개발하는 데 성공해 올 하반기부터 양산에 나선다고 밝혔다. 이는 메모리 반도체 업계 1위 삼성전자를 향한 도전이 어느때보다 거세지고 있다는 것을 방증한다.

삼성전자는 지난 1993년 이래 지난해까지 30년 연속 메모리 업계 선두를 유지하고 있다. 하지만 업계 2~3위인 SK하이닉스와 미국 마이크론테크놀러지의 추격도 만만치 않다. 삼성전자가 시장을 개척한 3차원 낸드도 최근에는 '세계 최초', '세계 최고' 기록을 경쟁 업체에 모두 내주며 '초격차' 전략에 대한 위기론이 고개를 든다.
 

차세대 D램 개발 경쟁도 각축

이 제품은 동작 속도가 9.6Gbps(초당 9.6기가비트)로 전작 대비 13% 빠르다. 풀HD급 영화 15편을 1초면 내려받을 수 있는 속도다. 그동안 모바일용 고성능·저소비 전력 D램 분야는 삼성전자가 선두 자리를 지켜왔지만 점차 업체간 경쟁이 심화되고 있다.

단적으로 서버용 D램 시장에서 SK하이닉스가 삼성전자의 맞수로 부상하고 있다. 삼성전자는 전체 D램 시장의 압도적 1위지만, 서버용 D램 시장에서는 1등을 자신할 수 없는 상태다. 

최근 인텔의 신형 서버용 CPU(중앙처리장치)에 들어가는 10나노급 4세대(1a) D램의 호환성 인증도 SK하이닉스가 세계 최초로 받으며 발 빠른 대응이 주목된다.

삼성전자는 차세대 제품 개발 경쟁에서도 끊임없는 도전을 받고 있다.

마이크론은 지난해 11월 초 세계 최초로 10나노급 5세대(1b) 공정을 적용해 모바일용 D램 'LPDDR5X' 제조공정 기술을 개발했다고 발표했다. 삼성전자가 지난해 12월22일 1b 공정 기반 16Gb(기가비트) DDR5 D램을 개발했다고 밝힌 것보다 한 달 이상 빠른 것이다. 

마이크론은 앞서 2021년 1월에도 10나노급 4세대(1a) D램을 세계 최초로 개발했다고 밝혀 업계의 주목을 받았다.

낸드 시장서도 최초·최고 기록 내줘
삼성전자가 개척한 3차원(3D) 낸드 플래시 분야도 이젠 격전장이다. 그동안 낸드는 2차원 평면 구조였지만 삼성전자의 V낸드가 2013년 등장한 이래 셀(데이터 저장 단위)를 쌓아 올리는 수직 구조가 업계 표준이 됐다.

다만 현재 200단 이상 8세대 3D 낸드가 차세대 제품군으로 부상 중인 가운데, 세계 최초 기록은 마이크론이 써 내려가고 있다.

마이크론은 지난해 7월 232단 제품 양산 발표를 통해 가장 먼저 200단 고지를 넘겼다. 삼성전자가 11월 양산한 8세대(236단) 낸드보다 3개월 이상 빠르다. 마이크론은 같은 해 12월에는 세계 최초로 이를 사용한 소비자용 SSD(솔리드스테이트드라이브)까지 선보이며, 신제품 출시에 속도를 높이고 있다.

이런 가운데 D램 최고층 기록은 SK하이닉스가 차지할 전망이다. 지난해 8월 SK하이닉스는 현존 최고층인 8세대 238단 낸드 개발에 성공했다고 밝혔다. 이어 올 상반기 중 양산에 들어간다.

여기에 중국 메모리 업체인 YMTC가 232단 낸드 개발에 성공해 시장 진출을 모색 중이며, 낸드 업계 2위와 4위인 일본 키옥시아와 미국 웨스턴디지털이 업계 1위 삼성전자를 따라잡기 위해 합병을 논의 중이다.

업계에서는 경쟁사와 기술 격차가 좁혀지며 삼성전자의 '초격차 전략'이 흔들리고 있다고 본다.

다만 최근 메모리 업체 간 기술 경쟁이 신기술을 판매하기 위한 반도체 업체들의 '마케팅' 일환이라는 해석도 나온다.

반도체 불황기를 맞아 새 고객을 확보하기 위해 조기 홍보에 나섰다는 것이다.

업체들마다 발표 시점이 앞당겨진 만큼 제품 양산까지는 최대 1년 이상 걸릴 수도 있다. 양산 이후에도 시장 수요를 고려해야 해 시장 점유율을 늘리기까지는 상당 시간 지켜볼 필요가 있다는 관측이다.